AT-400原子層沉積是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原了層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。原子層淀積（ALD）是超越CVD的技術，它是當需要準確控制沉積厚度、臺階覆蓋和保形性時應選用的新技術。在ALD進行薄膜生長時，將適當的前驅反應氣體以脈沖方式通入反應器中，隨后再通入惰性氣體進行清洗，對隨后的每一沉積層都重復這樣的程序。
ALD沉積的關鍵要素是它在沉積過程中具有白限制特性，能在非常寬的1.藝窗口中一個單層、一個單層地重復生長，所生長的薄膜沒有針孔、均勻、且對薄膜圖形的保形性好。原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應，形成沉積膜的一種方法。當前軀體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。
在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅體物質能否在被沉積材料表面化學吸附是實現原子層沉積的關鍵。氣相物質在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質在材料表面都可以進行物理吸附，但是要實現在材料表面的化學吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現原子層沉積，選擇合適的反應前驅體物質是很重要的。
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